シリコンに導入されたドーパントの物理

• Material Type: 図書
• ISBN: 978-4-7649-0718-8
• Title: シリコンに導入されたドーパントの物理
• Title Transcription: シリコン ニ ドウニュウサレタ ドーパント ノ ブツリ
• Author/Editor: 応用物理学会半導体分野将来基金委員会 編
• Author Heading: 編者 ： 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: [東京] : 近代科学社Digital (出版); 東京 : 近代科学社 (頒布)
• Publication Date: 2025.2
• Publication Date (W3CDTF): 2025
• Extent: 361 p
• Size: 26 cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Content Type: テキスト
• Media Type: 機器不用
• Carrier Type: 冊子
• Subject Heading: シリコン (半導体) シリコン (ハンドウタイ) ( 00571220 )Authorities
• NDC 10th ed.: 549.8 : Electronic engineering
• NDLC: ND371
• Target Audience: 一般
• Note (Bibliography): 文献あり
• Price: 5000円
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND371-R32
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 033950179; http://id.ndl.go.jp/bib/033950179
• National Bibliography No. (JPNO): 24113381
• Cataloging Rule: Nippon Cataloging Rules 2018 Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

• Summary, etc.: ドーピングにより生じるシリコン内の現象を深く理解できる
• Note (Production): 電子書籍
• Producer: 近代科学社Digital
• Production year: 2025-02-28
• Format: EPUB; フィックス
• Data Provider (Database): 出版情報登録センター : 出版情報登録センター（JPRO）; https://jpro2.jpo.or.jp/
• JP-e Code: 7649071811000000000Q

Table of Contents

第1部 ドーピングの基礎

第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^-3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価

第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御

第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり

第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ