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シリコンに導入されたドーパントの物理

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シリコンに導入されたドーパントの物理

Call No. (NDL)
ND371-R32
Bibliographic ID of National Diet Library
033950179
Material type
図書
Author
応用物理学会半導体分野将来基金委員会 編
Publisher
近代科学社Digital
Publication date
2025.2
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
361 p ; 26 cm
NDC
549.8
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Detailed bibliographic record

Summary, etc.:

ドーピングにより生じるシリコン内の現象を深く理解できる(Provided by: 出版情報登録センター(JPRO))

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Table of Contents

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  • 第1部 ドーピングの基礎

  • 第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^-3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価

  • 第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御

  • 第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり

  • 第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構:計算科学によるアプローチ

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Paper Digital

Material Type
図書
ISBN
978-4-7649-0718-8
Title Transcription
シリコン ニ ドウニュウサレタ ドーパント ノ ブツリ
Author/Editor
応用物理学会半導体分野将来基金委員会 編
Author Heading
編者 : 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
Publication Date
2025.2
Publication Date (W3CDTF)
2025
Extent
361 p