A study of degradation mechanism of In-Ga-Zn-O thin-film transistor under negative bias-illumination stress and positive bias stress for highly reliable display devices.

• Material Type: 博士論文
• Title: A study of degradation mechanism of In-Ga-Zn-O thin-film transistor under negative bias-illumination stress and positive bias stress for highly reliable display devices.
• Author/Editor: MAI, Phi Hung
• Publication, Distribution, etc.: 高知工科大学
• Publication Date: 2015-09
• Publication Date (W3CDTF): 2015-09
• Alternative Title: 酸化物半導体薄膜トランジスタの信頼性劣化メカニズムと高信頼性ディスプレイへの応用に関する研究
• Contributor: 古田,守
• Degree grantor/type: 高知工科大学
• Date Granted: 2015-09-30
• Date Granted (W3CDTF): 2015-09-30
• Dissertation Number: 甲第280号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第280号
• Text Language Code: eng
• Note (General): identifier:高知工科大学, 博士論文.
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10164506; https://dl.ndl.go.jp/pid/10164506
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2016-08-02T06:56:17+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2019-02-13
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10173/1324
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

Table of Contents

2019-05-06 再収集

2019-05-06 再収集

2019-05-06 再収集