A study on AlGaN/GaN HEMT gate stacks for threshold voltage control and leakage current suppression

• Material Type: 博士論文
• Title: A study on AlGaN/GaN HEMT gate stacks for threshold voltage control and leakage current suppression
• Author/Editor: 陳, 江寧; Chen, Jiangning
• Author Heading: 陳, 江寧; Chen, Jiangning
• Publication Date: 2016-06
• Publication Date (W3CDTF): 2016-06
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 2016-06-30
• Date Granted (W3CDTF): 2016-06-30
• Dissertation Number: 甲第10270号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 甲第10270号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50310563
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10299190; https://dl.ndl.go.jp/pid/10299190
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-02-09T20:08:30+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2016-06-10
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100708134
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2021-05-17 再収集