レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETs に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETs に関する研究
• Author/Editor: 陳, 訳; Chen, Yi
• Author Heading: 陳, 訳; Chen, Yi
• Publication Date: 2016-09
• Publication Date (W3CDTF): 2016-09
• Alternative Title: Research on Junction Formation Using Laser Annealing For High Performance Si Power MOS FETs
• Degree grantor/type: 琉球大学
• Date Granted: 2016-09-14
• Date Granted (W3CDTF): 2016-09-14
• Dissertation Number: 甲第321号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 理工研第321号
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 学位論文
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10342409; https://dl.ndl.go.jp/pid/10342409
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-05-02T23:17:13+09:00
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/20.500.12000/35665; https://u-ryukyu.repo.nii.ac.jp/records/2008478
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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