InGaZnO 薄膜トランジスタの特性・信頼性制御とフレキシブルデバイス応用

• Material Type: 博士論文
• Title: InGaZnO 薄膜トランジスタの特性・信頼性制御とフレキシブルデバイス応用
• Author/Editor: 戸田, 達也
• Publication, Distribution, etc.: 高知工科大学
• Publication Date: 2016-03
• Publication Date (W3CDTF): 2016-03
• Alternative Title: Control of Electrical Properties and Reliability ofInGaZnO Thin-Film Transistor for Flexible Device Applications
• Contributor: 古田,守
• Degree grantor/type: 高知工科大学
• Date Granted: 2016-03-18
• Date Granted (W3CDTF): 2016-03-18
• Dissertation Number: 甲第286号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 甲第286号
• Text Language Code: jpn
• Note (General): identifier:高知工科大学, 博士論文.
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10370239; https://dl.ndl.go.jp/pid/10370239
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-07-03T04:10:06+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2019-02-13
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10173/1385
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2019-05-06 再収集

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