磁性ランダムアクセスメモリの現状と課題

• Material Type: 記事
• Title: 磁性ランダムアクセスメモリの現状と課題
• Author/Editor: 松山,公秀
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本応用磁気学会
• Publication Date: 2001-02-01
• Publication Date (W3CDTF): 2001-02-01
• Alternative Title: Recent Trends and Technological Issues in Magnetic Random Access Memory
• Periodical title: 日本応用磁気学会誌
• No. or year of volume/issue: 25(2)
• Volume: 25(2)
• Pages: 51-58
• Text Language Code: JPN
• Alias of Author: Matsuyama,K.
• Subject Heading: magnetic random access memory; giant magnetoresistance; tunneling magnetoresistance; non-volatile memory; micromagnetics; magnetization switching
• Note (General): 著者所属: 九州大学大学院システム情報科学研究院; Affiliation: Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10465258; https://dl.ndl.go.jp/pid/10465258
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• Acquisition Basis: NII-ELS
• Available (W3CDTF): 2017-08-23
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-08-15
• Date Captured (W3CDTF): 2017-08-15
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/10389082; https://dl.ndl.go.jp/pid/10389082
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: The discovery of giant magnetoresistance (GMR) and the subsequent marked improvement in tunneling magnetoresistance (TMR) stimulated the development o...