半導体化合物の熱振動数への圧縮効果と熱膨張

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Summary, etc.：: AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, ZnS, ZnSe, ZnTe及びCdTeの13種の正四面体的配置をとる半導体化合物のフォノン振動数v_i(q)の圧縮効果,即ちモードGruneisenパラメータが,我々の提案した格子振動の方法を用...

Bibliographic Record

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Material Type: 記事
Title: 半導体化合物の熱振動数への圧縮効果と熱膨張
Author/Editor: 加賀屋,弘子
相馬,俊信
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 物性研究刊行会
Publication Date: 1986-06-20
Publication Date (W3CDTF): 1986-06-20
Periodical title: 物性研究
No. or year of volume/issue: 46(3)
Volume: 46(3)
Pages: 309-319
Text Language Code: JPN
Alias of Author: KAGAYA,Hiroko
SOMA,Toshinobu
Note (General): 著者所属: 秋田大学・鉱山学部共通講座
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10933465
https://dl.ndl.go.jp/pid/10933465
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
Acquisition Basis: NII-ELS
Available (W3CDTF): 2017-08-30
Date Accepted (W3CDTF): 2017-08-22
Date Captured (W3CDTF): 2017-08-22
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/10400214
https://dl.ndl.go.jp/pid/10400214
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp