三菱電機技報 1997年 (3月)

• Material Type: 電子書籍・電子雑誌
• Title: 三菱電機技報
• Volume: 1997年 (3月)
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 三菱電機エンジニアリング
• Publication Date: 1997-03
• Publication Date (W3CDTF): 1997-03
• Text Language Code: jpn
• Note (General): 特集 : 半導体
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10960957; https://dl.ndl.go.jp/pid/10960957
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-10-06T15:40:43+09:00
• Date Captured (W3CDTF): 2015-03-15
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/9105292/www.mitsubishielectric.co.jp/corporate/giho/1997/03/index.html
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/9219674; https://dl.ndl.go.jp/pid/9219674
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

Table of Contents

新しい対話の場のために

半導体の最近の動向

1.6Gバイト/秒高速1GビットシンクロナスDRAM設計技術

超低電圧動作の16MビットDRAM/SOI技術

1M(×8/×16)，4M(×1/×4/×8)ビットセンターパワーピン仕様高速SRAM