Jump to main content
博士論文

気相エピタキシーによるGaNとCdTeのエピタキシャル成長

Icons representing 博士論文
The cover of this title could differ from library to library. Link to Help Page

気相エピタキシーによるGaNとCdTeのエピタキシャル成長

Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/11008899
Material type
博士論文
Author
磯, 憲司
Publisher
東京農工大学
Publication date
2017-09-20
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
東京農工大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)
View All

Notes on use at the National Diet Library

本資料は、掲載誌(URI)等のリンク先にある学位授与機関のWebサイトやCiNii DissertationsLeave the NDL website. から、本文を自由に閲覧できる場合があります。

Table of Contents

Provided by:国立国会図書館デジタルコレクションLink to Help Page
  • 2023-12-15 再収集

  • 2023-12-15 再収集

  • 2023-12-15 再収集

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Digital

Material Type
博士論文
Title Transcription
キソウエピタキシーニヨルGaNトCdTeエピタキシャルセイチョウ
Author/Editor
磯, 憲司
Author Heading
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
2017-09-20
Publication Date (W3CDTF)
2017-09-20
Alternative Title
Epitaxial growth of GaN and CdTe by vapor phase epitaxy
Degree grantor/type
東京農工大学