Si-Ge系ECRプラズマCVDにおける基板非加熱エピタキシャル成長と電子物性制御に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Si-Ge系ECRプラズマCVDにおける基板非加熱エピタキシャル成長と電子物性制御に関する研究
• Author/Editor: 上野, 尚文
• Author Heading: 上野, 尚文
• Publication Date: 2017-03-24
• Publication Date (W3CDTF): 2017-03-24
• Contributor: 佐藤茂雄
• Degree grantor/type: Tohoku University
• Date Granted: 2017-03-24
• Date Granted (W3CDTF): 2017-03-24
• Dissertation Number: 甲第17559号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第17559号
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): type:博士学位論文 (Thesis(doctor)); 課程
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11050601; https://dl.ndl.go.jp/pid/11050601
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2018-03-04T07:19:18+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2017-10-19; 2017-03-24
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10097/00121553
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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