Synthesis and Application of Oxide for Gallium Nitride Electron Devices

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11116613

Material type: 博士論文

Author: Zhang, Tong

Publisher: -

Publication date: 2018-03-23

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 徳島大学,博士（工学）

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: Synthesis and Application of Oxide for Gallium Nitride Electron Devices
Author/Editor: Zhang, Tong
Author Heading: Zhang, Tong
Publication Date: 2018-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2018-03-23
Alternative Title: 酸化物の合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用
酸化膜の合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用
Degree grantor/type: 徳島大学
Date Granted: 2018-03-23
Date Granted (W3CDTF): 2018-03-23
Dissertation Number: 甲第3170号
Degree Type: 博士（工学）
Conferring No. (Dissertation): 甲第3170号
Text Language Code: eng
Subject Heading: AlGaN/GaN
HFETs
NiO
HfOxNy
Target Audience: 一般
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11116613
https://dl.ndl.go.jp/pid/11116613
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2018-07-03T21:49:10+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://repo.lib.tokushima-u.ac.jp/111761
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp