Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究
Author/Editor: 松本, 光二
Publication, Distribution, etc.: 松本, 光二
Publication Date: 2018
Publication Date (W3CDTF): 2018
Alternative Title: Study on improvement of characteristics of AlN buffer and GaN layers for GaN high frequency power device on Si substrate
Degree grantor/type: 名古屋大学
Date Granted: 2018-09-27
Date Granted (W3CDTF): 2018-09-27
Dissertation Number: 甲第12499号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11287602
https://dl.ndl.go.jp/pid/11287602
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（送信）
Date Accepted (W3CDTF): 2019-05-31T20:20:21+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp