Study on Normally-off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Cap Layer

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11288300

Material type: 博士論文

Author: 蒲, 涛飞

Publisher: -

Publication date: 2019-03-06

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 徳島大学,博士（工学）

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: Study on Normally-off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Cap Layer
Author/Editor: 蒲, 涛飞
Author Heading: 蒲, 涛飞
Publication Date: 2019-03-06
Publication Date (W3CDTF): 2019-03-06
Alternative Title: P-GaNキャップ層を有するノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
Degree grantor/type: 徳島大学
Date Granted: 2019-03-06
Date Granted (W3CDTF): 2019-03-06
Dissertation Number: 甲第3290号
Degree Type: 博士（工学）
Conferring No. (Dissertation): 甲第3290号
Text Language Code: eng
Subject Heading: AlGaN/GaN heterostructure
normally-off
blocking layer
gate-first
metal-insulator-semiconductor
Target Audience: 一般
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11288300
https://dl.ndl.go.jp/pid/11288300
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2019-06-03T12:31:31+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://repo.lib.tokushima-u.ac.jp/113329
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp