Si基板上GaNパワーMOSデバイスの電気的特性解析および信頼性向上に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: Si基板上GaNパワーMOSデバイスの電気的特性解析および信頼性向上に関する研究
Author/Editor: 星, 真一
Author Heading: 星, 真一
Publication Date: 2020-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2020-03-23
Degree grantor/type: 福井大学
Date Granted: 2020-03-23
Date Granted (W3CDTF): 2020-03-23
Dissertation Number: 工博甲第501号
Degree Type: 博士(工学)
Conferring No. (Dissertation): 工博甲第501号
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11511516
https://dl.ndl.go.jp/pid/11511516
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2020-07-06T20:31:19+09:00
Date Created (W3CDTF): 2020-08-05
Format (IMT): PDF
application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10098/10900
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp