Nanoscale Analysis of Impurity Distribution in Silicon Devices by Atom Probe Tomography

• Material Type: 博士論文
• Title: Nanoscale Analysis of Impurity Distribution in Silicon Devices by Atom Probe Tomography
• Author/Editor: YUAN, TU
• Author Heading: YUAN, TU
• Publication Date: 2018-03-27
• Publication Date (W3CDTF): 2018-03-27
• Alternative Title: 3次元アトムプローブ法を用いたシリコンデバイス中の不純物分布のナノスケール分析
• Contributor: 永井康介
• Degree grantor/type: Tohoku University
• Date Granted: 2018-03-27
• Date Granted (W3CDTF): 2018-03-27
• Dissertation Number: 甲第18079号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第18079号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): type:博士学位論文 (Thesis(doctor)); 課程
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11512435; https://dl.ndl.go.jp/pid/11512435
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2020-07-06T20:31:19+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2019-03-25; 2018-03-27
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10097/00125197
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-09-08 再収集