A study on high-mobility SiC MOSFETs with interfacial silicate layer for harsh environment electronics

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国立国会図書館デジタルコレクション

A study on high-mobility SiC MOSFETs with interfacial silicate layer for harsh environment electronics

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Material Type: 博士論文
Title: A study on high-mobility SiC MOSFETs with interfacial silicate layer for harsh environment electronics
Author/Editor: 村岡, 幸輔
Publication, Distribution, etc.: 村岡, 幸輔
Publication Date: 2020
Publication Date (W3CDTF): 2020
Alternative Title: 極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiC MOSFETsの研究
Degree grantor/type: 広島大学
Date Granted: 2020-03-23
Date Granted (W3CDTF): 2020-03-23
Dissertation Number: 甲第8160号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: eng
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11525565
https://dl.ndl.go.jp/pid/11525565
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（送信）
Date Accepted (W3CDTF): 2020-08-08T09:49:35+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp