Study on Epitaxial Growth of Lattice-Matched InGaN through AlN Protection Layer on ZnO Substrate

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on Epitaxial Growth of Lattice-Matched InGaN through AlN Protection Layer on ZnO Substrate
• Author/Editor: YOO, YEOP
• Author Heading: YOO, YEOP
• Publication Date: 2019-03-27
• Publication Date (W3CDTF): 2019-03-27
• Alternative Title: ZnO基板上へのAlN保護層を介した格子整合InGaNのエピタキシャル成長に関する研究
• Contributor: 松岡隆志
• Degree grantor/type: Tohoku University
• Date Granted: 2019-03-27
• Date Granted (W3CDTF): 2019-03-27
• Dissertation Number: 甲第18670号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第18670号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): type:博士学位論文 (Thesis(doctor)); 課程
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11551838; https://dl.ndl.go.jp/pid/11551838
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2020-10-06T21:18:06+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2020-04-22; 2020-09-15; 2019-03-27
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10097/00127543
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-09-08 再収集