低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
• Author/Editor: 鈴木, 朝実良
• Author Heading: 鈴木, 朝実良
• Publication Date: 2018-03-26
• Publication Date (W3CDTF): 2018-03-26
• Alternative Title: Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
• Degree Grantor: 京都工芸繊維大学
• Date Granted: 2018-03-26
• Date Granted (W3CDTF): 2018-03-26
• Dissertation Number: 甲第873号
• Degree Type: 博士（工学）
• Text Language Code: jpn
• Alias of Author: SUZUKI, Asamira
• Subject Heading: パワーエレクトロニクス; スイッチング; GaN; ヘテロ接合; 電界効果トランジスタ; エンハンスメントモード; オン抵抗; コンタクト抵抗; キャリア濃度; NiO; 微細構造ゲート
• Target Audience: 一般
• Note (General): 出版タイプ： VoR
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11551981; https://dl.ndl.go.jp/pid/11551981
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10212/2468
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: 本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実現するためにゲート長ならびに素子寸法の微細化によるゲート容量の低減とオン抵抗の低減、さらにはコンタクト抵抗の低減による更なる...