低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11551981

Material type: 博士論文

Author: 鈴木, 朝実良

Publisher: -

Publication date: 2018-03-26

Material Format: Digital

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Name of awarding university/degree: 京都工芸繊維大学,博士（工学）

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: 低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
Author/Editor: 鈴木, 朝実良
Publication Date: 2018-03-26
Publication Date (W3CDTF): 2018-03-26
Alternative Title: Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
Degree grantor/type: 京都工芸繊維大学
Date Granted: 2018-03-26
Date Granted (W3CDTF): 2018-03-26
Dissertation Number: 甲第873号
Degree Type: 博士（工学）
Conferring No. (Dissertation): 甲第873号
Text Language Code: jpn
Subject Heading: パワーエレクトロニクス
スイッチング
GaN
ヘテロ接合
電界効果トランジスタ
エンハンスメントモード
オン抵抗
コンタクト抵抗
キャリア濃度
NiO
微細構造ゲート
Note (General): 本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実現するためにゲート長ならびに素子寸法の微細化によるゲート容量の低減とオン抵抗の低減、さらにはコンタクト抵抗の低減による更なるオン抵抗低減を実現する方法と手段について検討し、その結果を述べた。
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11551981
https://dl.ndl.go.jp/pid/11551981
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2020-10-06T21:18:06+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10212/2468
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp