Study on High Quality bulk GaN Single Crystal Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on High Quality bulk GaN Single Crystal Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
• Author/Editor: 劉, 強
• Author Heading: 劉, 強
• Publication Date: 2020-09-28
• Publication Date (W3CDTF): 2020-09-28
• Alternative Title: ハライド気相成長法による高品質バルクGaN単結晶成長に関する研究
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 2020-09-28
• Date Granted (W3CDTF): 2020-09-28
• Dissertation Number: 甲第13309号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 甲第13309号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11583668; https://dl.ndl.go.jp/pid/11583668
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2020-12-08T06:37:43+09:00
• Format (IMT): PDF; application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/2237/00032765; https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/30580
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-12-09 再収集

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