Study on the Fundamental Properties of HfO_2-based Ferroelectric Thin Films for Ferroelectric-gate FET Applications

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on the Fundamental Properties of HfO_2-based Ferroelectric Thin Films for Ferroelectric-gate FET Applications
• Author/Editor: 高田, 賢志
• Publication Date: 2021-03-31
• Publication Date (W3CDTF): 2021-03-31
• Alternative Title: 強誘電体ゲートFET応用に向けたHfO₂基強誘電体薄膜の基礎物性に関する研究
• Degree grantor/type: Osaka Prefecture University (大阪府立大学)
• Date Granted: 2021-03-31
• Date Granted (W3CDTF): 2021-03-31
• Dissertation Number: 甲第2019号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第2019号
• Text Language Code: eng
• Note (General): 学位記番号：論工第1603号，指導教員：藤村 紀文
• DOI: info:doi/10.24729/00017346; https://doi.org/info:doi/10.24729/00017346
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11671662; https://dl.ndl.go.jp/pid/11671662
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2021-05-16T23:51:55+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2021-04-20
• Format (IMT): PDF
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10466/00017346
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2022-10-11 再収集