GaAsBi半導体ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と特性評価

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Material Type: 博士論文
Title: GaAsBi半導体ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と特性評価
Author/Editor: 松田, 晃賢
Publication Date: 2021-09-23
Publication Date (W3CDTF): 2021-09-23
Degree grantor/type: Ehime University(愛媛大学)
Date Granted: 2021-09-23
Date Granted (W3CDTF): 2021-09-23
Dissertation Number: 甲理工第528号
Degree Type: 博士(工学)
Conferring No. (Dissertation): 甲理工第528号
Text Language Code: jpn
Note (General): 甲理工博第528号
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11929327
https://dl.ndl.go.jp/pid/11929327
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2021-12-07T08:33:55+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://opac1.lib.ehime-u.ac.jp/iyokan/TD30337706
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp