Study of AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC/LR-Si by introducing a thick nitride layerfor RF applications

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC/LR-Si by introducing a thick nitride layerfor RF applications
• Author/Editor: Arijit, Bose
• Author Heading: Arijit, Bose
• Publication Date: 2022-03-31
• Publication Date (W3CDTF): 2022-03-31
• Alternative Title: 厚いGaN層を有する3C-SiC/LR-Si上AlGaN/GaN HEMTsのRF応用に向けた研究
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 2022-03-31
• Date Granted (W3CDTF): 2022-03-31
• Dissertation Number: 甲第1240号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 甲第1240号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): 主査：分島 彰男
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12303118; https://dl.ndl.go.jp/pid/12303118
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2022-07-05T02:30:21+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2022-05-31
• Format (IMT): PDF; application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://id.nii.ac.jp/1476/00006797/
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-12-06 再収集

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