SiC MOSFETのスイッチング損失低減に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: SiC MOSFETのスイッチング損失低減に関する研究
• Author/Editor: 富永 貴亮
• Author Heading: 富永 貴亮
• Publication Date: 2022-03-15
• Publication Date (W3CDTF): 2022-03-15
• Alternative Title: ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ ノ スイッチング ソンシツ テイゲン ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 金沢工業大学
• Date Granted: 2022-03-15
• Date Granted (W3CDTF): 2022-03-15
• Dissertation Number: 甲第125号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第125号
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): type:学位論文;Thesis or Dissertation; 脱炭素社会に向けたパワー半導体の更なる進化のために、従来用いられているSi IGBTよりもスイッチング損失を低減可能なSiC MOSFETが注目されている。しかしながら、数10 kHz超の駆動周波数においては、全損失に対するスイッチング損失の寄与が大きく、その低減が重要である。本論文では、SiCに固有の課題に特に着目することで、この実現を図った。具体的には、素子容量が大きい、pボディ領域電位変動が大きい、という課題に対して、これらがSiC MOSFETのスイッチング特性へおよぼす影響を明確化することで、スイッチング損失低減指針を示した。; identifier:20220629003
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12314252; https://dl.ndl.go.jp/pid/12314252
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2022-08-08T06:02:54+09:00
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://kitir.kanazawa-it.ac.jp:80/infolib/meta_pub/G0000002repository_20220629003
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-05-05 再収集

2023-08-05 再収集