AlTiO絶縁膜を用いたGaN系MISデバイスにおけるノーマリーオフ動作のための界面電荷エンジニアリング

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12361415

Material type: 博士論文

Author: NGUYEN, DAI DUONG

Publisher: -

Publication date: 2022-03

Material Format: Digital

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Name of awarding university/degree: 北陸先端科学技術大学院大学,博士(マテリアルサイエンス)

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: AlTiO絶縁膜を用いたGaN系MISデバイスにおけるノーマリーオフ動作のための界面電荷エンジニアリング
Author/Editor: NGUYEN, DAI DUONG
Author Heading: NGUYEN, DAI DUONG
Publication Date: 2022-03
Publication Date (W3CDTF): 2022-03
Degree grantor/type: 北陸先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2022-03-24
Date Granted (W3CDTF): 2022-03-24
Dissertation Number: 甲第1303号
Degree Type: 博士(マテリアルサイエンス)
Conferring No. (Dissertation): 甲第1303号
Text Language Code: eng
Subject Heading: III-V compound semiconductor
AlGaN/GaN
AlTiO
interface charge engineering
normally-off operation
Target Audience: 一般
Note (General): Supervisor: 鈴木寿一
先端科学技術研究科
博士
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/17767
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12361415
https://dl.ndl.go.jp/pid/12361415
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2022-11-07T16:56:35+09:00
Format (IMT): PDF
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10119/17767
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp