超薄膜ゲート酸化膜を有するFD-SOI MOSFETのドレイン電流過渡特性

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12987085

Material type: 記事

Author: 葉山清輝ほか

Publisher: 国立高等専門学校機構熊本高等専門学校

Publication date: 2005-11

Material Format: Digital

Journal name: 熊本電波工業高等専門学校研究紀要 (32)

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type: 記事
Title: 超薄膜ゲート酸化膜を有するFD-SOI MOSFETのドレイン電流過渡特性
Author/Editor: 葉山清輝
高倉健一郎
米岡将士
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 国立高等専門学校機構熊本高等専門学校
Publication Date: 2005-11
Publication Date (W3CDTF): 2005-11
Alternative Title: Drain current transients in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs
Periodical title: 熊本電波工業高等専門学校研究紀要
No. or year of volume/issue: (32)
Volume: (32)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12987085
https://dl.ndl.go.jp/pid/12987085
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00033
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2023-09-08T11:50:09+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2013-07-06
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 不可
Note (Availability): 本資料は、印刷できません。
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8233614/www.knct.ac.jp/site/view/contview-42703.jsp.html
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/12987080
https://dl.ndl.go.jp/pid/12987080
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp