Deep levels in GaN and at GaN/oxide interface formed by radiation

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Material Type: 博士論文
Title: Deep levels in GaN and at GaN/oxide interface formed by radiation
Author/Editor: 青島, 慶人
Publication, Distribution, etc.: 青島, 慶人
Publication Date: 2023
Publication Date (W3CDTF): 2023
Alternative Title: 放射線により窒化ガリウム中および窒化ガリウム/酸化膜界面に形成される深い準位
Degree grantor/type: 名古屋大学
Date Granted: 2023-03-27
Date Granted (W3CDTF): 2023-03-27
Dissertation Number: 甲第14506号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: eng
Alias of Author: Aoshima, Keito
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13033013
https://dl.ndl.go.jp/pid/13033013
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（送信）
Date Accepted (W3CDTF): 2023-10-17T10:41:42+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp