電荷補償反応を利用したカルコゲナイド系化合物半導体ナノ結晶の化学合成および熱電バルク材料のナノ構造化

• Material Type: 博士論文
• Title: 電荷補償反応を利用したカルコゲナイド系化合物半導体ナノ結晶の化学合成および熱電バルク材料のナノ構造化
• Author/Editor: 藤原,良輔
• Author Heading: 藤原,良輔
• Publication Date: 2024-03-31
• Publication Date (W3CDTF): 2024-03-31
• Alternative Title: Chemical Synthesis of Chalcogenide Nanocrystals using Charge Compensation Reaction and Nanostructuring of Thermoelectric Bulk Materials
• Degree grantor/type: 甲南大学
• Date Granted: 2024-03-31
• Date Granted (W3CDTF): 2024-03-31
• Dissertation Number: 甲第132号
• Degree Type: 博士（理工学）
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 熱電材料; 電荷補償反応; カルコゲナイド化合物
• Target Audience: 一般
• DOI: 10.14990/0002000441; https://doi.org/10.14990/0002000441
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13722894; https://dl.ndl.go.jp/pid/13722894
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2024-07-05T22:07:01+09:00
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): https://doi.org/10.14990/0002000441; https://konan-u.repo.nii.ac.jp/records/2000441
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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