GaN系npnヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13724662

Material type: 博士論文

Author: 間瀬, 晃

Publisher: -

Publication date: 2024-03-31

Material Format: Digital

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Name of awarding university/degree: 名古屋工業大学,博士(工学),Doctor of Engineering

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: GaN系npnヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究
Author/Editor: 間瀬, 晃
Author Heading: 間瀬, 晃
Publication Date: 2024-03-31
Publication Date (W3CDTF): 2024-03-31
Alternative Title: Study on GaN-based npn heterojunction bipolar transistors
Degree grantor/type: 名古屋工業大学
Date Granted: 2024-03-31
Date Granted (W3CDTF): 2024-03-31
Dissertation Number: 甲第1321号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Engineering
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 主査：三好　実人
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13724662
https://dl.ndl.go.jp/pid/13724662
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2024-07-05T22:07:11+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/2000137
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp