アナログメモリ素子応用に向けたタンタル酸化物におけるフォーミングおよび抵抗変化現象に関する研究

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アナログメモリ素子応用に向けたタンタル酸化物におけるフォーミングおよび抵抗変化現象に関する研究

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13803373

Material type: 博士論文

Author: 宮谷, 俊輝

Publisher: Kyoto University

Publication date: 2023-03-23

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

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Material Type: 博士論文
Title: アナログメモリ素子応用に向けたタンタル酸化物におけるフォーミングおよび抵抗変化現象に関する研究
Author/Editor: 宮谷, 俊輝
Author Heading: 宮谷, 俊輝
Publication, Distribution, etc.: Kyoto University
Publication Date: 2023-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2023-03-23
Alternative Title: Study on Forming and Resistive Switching Phenomena in Tantalum Oxide for Analog Memory Devices
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2023-03-23
Date Granted (W3CDTF): 2023-03-23
Dissertation Number: 甲第24622号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: eng
Subject Heading: resistive switching
analog memory devices
tantalum oxide
conductive filament
oxygen vacancy
Joule heating
NDC: 500
Target Audience: 一般
Note (General): 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
DOI: 10.14989/doctor.k24622
https://doi.org/10.14989/doctor.k24622
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13803373
https://dl.ndl.go.jp/pid/13803373
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2024-11-12T17:29:50+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://doi.org/10.14989/doctor.k24622
http://hdl.handle.net/2433/283741
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp