結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位

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結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13804421

Material type: 博士論文

Author: 鐘ケ江, 一孝

Publisher: Kyoto University

Publication date: 2022-03-23

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: 結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位
Author/Editor: 鐘ケ江, 一孝
Author Heading: 鐘ケ江, 一孝
Publication, Distribution, etc.: Kyoto University
Publication Date: 2022-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2022-03-23
Alternative Title: Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2022-03-23
Date Granted (W3CDTF): 2022-03-23
Dissertation Number: 甲第23909号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: eng
Subject Heading: Wide Bandgap Semiconductor
Gallium Nitride
Silicon Carbide
Deep Level
Capacitance Transient Spectroscopy
Defect
NDC: 500
Target Audience: 一般
Note (General): 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
DOI: 10.14989/doctor.k23909
https://doi.org/10.14989/doctor.k23909
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13804421
https://dl.ndl.go.jp/pid/13804421
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2024-11-12T17:29:56+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://doi.org/10.14989/doctor.k23909
http://hdl.handle.net/2433/275231
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp