HVPE法によるScAlMgO₄基板上へのGaN単結晶成長と基板作製

• Material Type: 博士論文
• Title: HVPE法によるScAlMgO₄基板上へのGaN単結晶成長と基板作製
• Author/Editor: 張, 海涛
• Publication, Distribution, etc.: 三重大学
• Publication Date: 2025-03-25
• Publication Date (W3CDTF): 2025
• Alternative Title: GaN single crystal growth on ScAlMgO4 substrate by HVPE method and GaN substrate fabrication
• Degree Grantor: 三重大学
• Date Granted: 2025-03-25
• Date Granted (W3CDTF): 2025-03-25
• Dissertation Number: 甲学術第2329号
• Degree Type: 博士(学術)
• Target Audience: 一般
• Note (General): 出版タイプ： VoR; application/pdf; 本文 / 三重大学大学院 地域イノベーション学研究科; 140p
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/14436003; https://dl.ndl.go.jp/pid/14436003
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2025-07-04T22:06:18+09:00
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10076/0002001501
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: GaN 材料は 1928 年に Johanson らによって合成された III-V 族化合物半導体材料であり、大気圧下では一般的に六方晶ウルツ鉱構造であり、この構造は単位胞に 4 つの原子が含まれており、原子体積は GaAs の約 1/2 である。化学的性質は安定しており、常温では水、酸、アルカリに...