放射線によるMOSデバイスの特性劣化現象と耐放射線性強化CMOSデバイス技術の研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 放射線によるMOSデバイスの特性劣化現象と耐放射線性強化CMOSデバイス技術の研究
• Title Transcription: ホウシャセン ニ ヨル MOS デバイス ノ トクセイ レッカ ゲンショウ ト タイホウシャセンセイ キョウカ CMOS デバイス ギジュツ ノ ケンキュウ
• Author/Editor: 吉井一郎 [著]
• Author Heading: 吉井, 一郎 ヨシイ, イチロウ
• Degree Grantor: 名古屋大学
• Date Granted: 平成7年12月27日
• Date Granted (W3CDTF): 1995
• Dissertation Number: 乙第4914号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-A258
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000292692; http://id.ndl.go.jp/bib/000000292692
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

概要

1 序論

1.1 はじめに

1.2 放射線による酸化膜捕獲電荷と界面準位の発生