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博士論文

Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究

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Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究

Call No. (NDL)
UT51-98-B427
Bibliographic ID of National Diet Library
000000318126
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3132936
Material type
博士論文
Author
野沢和彦 [著]
Publisher
-
Date granted
平成8年9月30日
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Degree grantor and degree
東京工業大学,博士 (工学)
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博士論文

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Table of Contents

Provided by：国立国会図書館デジタルコレクション

  • 論文目録

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p5

  • 1.1 背景

    p5

  • 1.2 本研究の目的

    p8

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title
Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究
Title Transcription
Migration-Enhanced Epitaxyホウ オ モチイタ Si キバンジョウ エ ノ テイテンイ ミツド GaAs ヘテロエピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
野沢和彦 [著]
Author Heading
野沢, 和彦 ノザワ, カズヒコ
Degree Grantor
東京工業大学
Date Granted
平成8年9月30日
Date Granted (W3CDTF)
1996
Dissertation Number
乙第2942号
Degree Type
博士 (工学)