原子状水素を用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体における結晶欠陥の低減及び不活性化に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 原子状水素を用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体における結晶欠陥の低減及び不活性化に関する研究
• Title Transcription: ゲンシジョウ スイソ オ モチイタ 3-5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ニ オケル ケッショウ ケッカン ノ テイゲン オヨビ フカッセイカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 横関弥樹博 [著]
• Author Heading: 横関, 弥樹博 ヨコゼキ, ミキヒロ
• Degree Grantor: 豊橋技術科学大学
• Date Granted: 平成10年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 甲第204号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-K506
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000322573; http://id.ndl.go.jp/bib/000000322573
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文要旨

目次

第1章 序論

§1.1 ヘテロエピタキシャル成長技術とデバイスへの応用

§1.2 格子不整合ヘテロエピタキシーにおける問題点