半導体デバイスの低温・低圧成長プロセスと低温ドーピングプロセスに関する基礎的研究
Available with Digitized Contents Transmission Service
Find on the publisher's website
NDL Digital Collections
Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.
Search by Bookstore
Read this material in an accessible format.
Table of Contents
Provided by:国立国会図書館デジタルコレクションLink to Help Page
目次
第1章 序論
p1
1.1 MOCVD法によるII-VI族化合物半導体の研究の現状
p1
1.2 電子ビーム照射技術の現状
p1
1.3 本研究の背景と目的
p3
Search by Bookstore
Read in Disability Resources
- Mina Search
- プレーンテキスト
Registered users of Mina Search can download or stream this content.
Bibliographic Record
You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.
- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- ハンドウタイ デバイス ノ テイオン テイアツ セイチョウ プロセス ト テイオン ドーピング プロセス ニ カンスル キソテキ ケンキュウ
- Author/Editor
- 藤本博 [著]
- Author Heading
- 藤本, 博 フジモト, ヒロシ
- Degree Grantor
- 大同工業大学
- Date Granted
- 平成11年3月18日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1999
- Dissertation Number
- 乙第2号
- Degree Type
- 博士(工学)