Study of low-temperature silicon epitaxy by photochemical vapor deposition

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of low-temperature silicon epitaxy by photochemical vapor deposition
• Author/Editor: 阿部克也 [著]
• Author Heading: 阿部, 克也 アベ, カツヤ
• Extent: 冊
• Alternative Title: 光CVD法によるシリコンの低温エピタキシャル成長に関する研究 ヒカリ CVDホウ ニ ヨル シリコン ノ テイオン エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree Grantor: 東京工業大学
• Date Granted: 平成11年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第4015号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-Y190
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000346234; http://id.ndl.go.jp/bib/000000346234
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

TABLE OF CONTENTS

Preface

Chapter1. Overview and Objectives of This Research

Chapter2. Fundamental Aspects of Silicon Technology