Basic characteristics of ultra fast and ultra small semiconductor devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Basic characteristics of ultra fast and ultra small semiconductor devices
• Author/Editor: 裵志哲 [著]
• Author Heading: 裵, 志哲 ベ, ジチョル
• Publication, Distribution, etc.: [裴志哲]
• Publication Date: [2000]
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 超高速極微細半導体素子の基本特性 チョウコウソク ゴクビサイ ハンドウタイ ソシ ノ キホン トクセイ
• Degree Grantor: 東北大学
• Date Granted: 平成12年9月13日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 甲第7591号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• Alias of Author: Bea, Ji Cheol
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-S796
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000394358; http://id.ndl.go.jp/bib/000000394358
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter 1.Introduction

Chapter 2.Overview of MOS Devices

2-1.Trend of LSI Technology

2-2.Evolution of MOS Device Structure