有機金属気相成長法によるGaN系化合物半導体成長に対するNH3ガス中の水分の影響 : On-Site不純物分析技術の確立とNH3ガス精製装置の有効性

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3512992

Material type: 記事

Author: 小林芳彦ほか

Publisher: 大陽日酸

Publication date: 2007-11-29

Material Format: Digital

Journal name: 大陽日酸技報 (26)

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Digital

Material Type: 記事
Title: 有機金属気相成長法によるGaN系化合物半導体成長に対するNH3ガス中の水分の影響 : On-Site不純物分析技術の確立とNH3ガス精製装置の有効性
Author/Editor: 小林芳彦
万行大貴
小野宏之
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 大陽日酸
Publication Date: 2007-11-29
Publication Date (W3CDTF): 2007-11-29
Extent: 容量 : tnscgihou26_01.pdf(1287894bytes)
Alternative Title: Effects of moisture impurities in NH3 gas on nitride-semiconductor films grown by metal organic vapor phase epitaxy : establishment of on-site analysis technology and usefulness of NH3 gas purification system
Periodical title: 大陽日酸技報
No. or year of volume/issue: (26)
Volume: (26)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3512992
https://dl.ndl.go.jp/pid/3512992
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2012-07-26T01:08:01+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2011-01-18
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/1284606/www.tn-sanso-giho.com/report26.html
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/3512991
https://dl.ndl.go.jp/pid/3512991
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp

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