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Volume number平成17年度 (35)
酸化亜鉛半導体のエピ...

酸化亜鉛半導体のエピタキシャル成長の現状

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酸化亜鉛半導体のエピタキシャル成長の現状

Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/8236792
Material type
記事
Author
羽賀浩一
Publisher
国立高等専門学校機構仙台電波工業高等専門学校
Publication date
2005
Material Format
Digital
Journal name
仙台電波工業高等専門学校研究紀要 平成17年度(35)
Publication Page
-
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Bibliographic Record

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Digital

Material Type
記事
Author/Editor
羽賀浩一
Publication Date
2005
Publication Date (W3CDTF)
2005
Alternative Title
Epitaxial growth of ZnO thin films
Periodical title
仙台電波工業高等専門学校研究紀要
No. or year of volume/issue
平成17年度(35)
Volume
平成17年度(35)
Text Language Code
jpn
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/8236792
Collection (Materials For Handicapped People:1)
Collection (particular)
国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人
Acquisition Basis
インターネット資料収集保存事業(WARP)
Date Accepted (W3CDTF)
2013-07-23T00:40:45+09:00
Date Captured (W3CDTF)
2008-12-15
Format (IMT)
application/pdf
Access Restrictions
インターネット公開
Availability of remote photoduplication service
不可
Periodical Title (Persistent ID (NDL))
info:ndljp/pid/8236787
Data Provider (Database)
国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション