遷移金属内包シリコンクラスター材料を用いた半導体との接合形成に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 遷移金属内包シリコンクラスター材料を用いた半導体との接合形成に関する研究
• Author/Editor: 岡田, 直也
• Publication Date: 2014
• Publication Date (W3CDTF): 2014
• Degree grantor/type: 筑波大学 (University of Tsukuba)
• Date Granted: 2014-03-25
• Date Granted (W3CDTF): 2014-03-25
• Dissertation Number: 甲第6824号
• Degree Type: 博士（工学）/ Doctor of Philosophy in Engineering
• Conferring No. (Dissertation): 甲第6824号
• Text Language Code: jpn
• Note (General): 2013
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8977305; https://dl.ndl.go.jp/pid/8977305
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2015-03-01T07:09:42+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2015-02-19
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/2241/00123320
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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