BNおよびAlTiO高誘電率ゲート絶縁体を用いたAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/9506102

Material type: 博士論文

Author: Nguyen, Quy Tuan

Publisher: -

Publication date: 2014-09

Material Format: Digital

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Name of awarding university/degree: 北陸先端科学技術大学院大学,博士（マテリアルサイエンス）

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Note (General)：: Supervisor:鈴木　寿一マテリアルサイエンス研究科博士...

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: BNおよびAlTiO高誘電率ゲート絶縁体を用いたAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Author/Editor: Nguyen, Quy Tuan
Publication Date: 2014-09
Publication Date (W3CDTF): 2014-09
Degree grantor/type: 北陸先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2014-09-24
Date Granted (W3CDTF): 2014-09-24
Dissertation Number: 甲第826号
Degree Type: 博士（マテリアルサイエンス）
Conferring No. (Dissertation): 甲第826号
Text Language Code: eng
Subject Heading: AlGaN/GaN
MIS-HFET
BN
AlTiO
channel conduction
gate leakage
interface state
Note (General): Supervisor:鈴木　寿一
マテリアルサイエンス研究科
博士
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/12305
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/9506102
https://dl.ndl.go.jp/pid/9506102
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2015-10-01T11:16:23+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10119/12305
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp