歪補償構造を有するSi基板上III-V族希薄混晶半導体発光素子に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 歪補償構造を有するSi基板上III-V族希薄混晶半導体発光素子に関する研究
• Author/Editor: 浦上, 法之
• Author Heading: 浦上, 法之
• Publication Date: 2015-03-23
• Publication Date (W3CDTF): 2015-03-23
• Alternative Title: Study on III-V dilute semiconductor alloy on Si substrate for light emitting devices with strain compensated structure
• Degree grantor/type: 豊橋技術科学大学
• Date Granted: 2015-03-23
• Date Granted (W3CDTF): 2015-03-23
• Dissertation Number: 甲第713号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 甲第713号
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): source:http://www.tut.ac.jp/university/docs/abstk713.pdf
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/9902094; https://dl.ndl.go.jp/pid/9902094
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2016-03-01T12:53:35+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2015-04-15
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Original Material (URI): http://www.tut.ac.jp/university/docs/abstk713.pdf
• Periodical Title (URI): http://id.nii.ac.jp/1117/00001717/
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-12-06 再収集