Basic selection

• Material Type: 図書
• Title: Basic selection
• Publication, Distribution, etc.: リアライズ・アドバンストテクノロジ
• Alternative Title: R basic selection; Realize basic selection
• Place of Publication (Country Code): ja
• Target Audience: 一般
• Note (General): Realize basic selectionシリーズはすでに絶版になった書籍のうち、特に人気の高い商品を厳選の上、安価にて提供することを目的としたもの
• Related Material: 半導体プロセスにおけるチャージング・ダメージ; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130000795872628480; カスタムLSI応用設計ハンドブック; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130000796886527872; 半導体デバイス工程評価技術 : ライフタイム、DLTS評価を中心として; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130000797129912320; 薄膜の力学的特性評価技術 : トライボロジー・内部応力・密着性; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130000798337757696; 高周波測定技術の基礎 : Sパラメータ入門; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130012380878655900; オゾン利用の理論と実際; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282268724752768; 黒鉛層間化合物; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282270409242624; アンテナの基礎理論と設計法; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282270897789824; 半導体製造における安全対策・管理ハンドブック; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282271531854080; フッ素化学が拓くプロセスイノベーション; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282271684926720; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282272793416576; リチウムイオン二次電池のための負極用炭素材料; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282273244833664; 最新半導体プロセス・デバイスシミュレーション技術; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130291842270257034; https://cir.nii.ac.jp/crid/1130855024971978757
• Related Material (URI): https://ci.nii.ac.jp/ncid/BA7433021X#entity
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : CiNii Research
• Original Data Provider (Database): CiNii Books; https://ci.nii.ac.jp/books
• NCID: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BA7433021X : BA7433021X

Table of Contents

半導体プロセスにおけるチャージング・ダメージ

カスタムLSI応用設計ハンドブック

半導体デバイス工程評価技術 : ライフタイム、DLTS評価を中心として

薄膜の力学的特性評価技術 : トライボロジー・内部応力・密着性

高周波測定技術の基礎 : Sパラメータ入門