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AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御

AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
Paper図書
澤田孝幸, 北海道工業大学 [著][澤田孝幸]2005-2006<Y151-H17560013>
National Diet Library
  • Subject HeadingAlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / MIS構造 / 界面準位密度

表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究

表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究
Paper図書
斉藤, 俊也, 北海道大学1994-1996<Y151-H06650345>
National Diet Library
  • Subject Heading表面再結合速度 フオトルミネセンス 界面準位密度 太陽電池 InGaAs InAlAs InAsドツト

GaN系半導体界面の制御と電界効果トランジスタの試作に関する研究

GaN系半導体界面の制御と電界効果トランジスタの試作に関する研究
Paper図書
澤田, 孝幸, 北海道工業大学2000-2001<Y151-H12650320>
National Diet Library
  • Subject HeadingGaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面特性 電流-電圧特性 シヨツトキー障壁高さ 表面フエルミ準位 界面準位密度

金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作

金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作
Paper図書
澤田, 孝幸, 北海道工業大学1998-1999<Y151-H10650316>
National Diet Library
  • Subject HeadingGaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面準位密度 シヨツトキー障壁高 I-V特性 C-V特性 フエルミ準位

高感度光電子収率分光による極めて薄い酸化膜/シリコン界面の欠陥密度定量評価

高感度光電子収率分光による極めて薄い酸化膜/シリコン界面の欠陥密度定量評価
Paper図書
宮崎, 誠一, 広島大学1996-1997<Y151-H08455147>
National Diet Library
  • Subject Heading極薄SiO2/Si界面 光電子収率分光法 フエルミ準位 表面準位密度 価電子帯状態密度 光電子脱出深さ 界面準位密度 水素終端Si処理

光励起過程を利用したリン化インジウム表面物性の制御と電子素子への応用

光励起過程を利用したリン化インジウム表面物性の制御と電子素子への応用
Paper図書
國岡, 昭夫, 青山学院大学1988-1989<Y151-S63550239>
National Diet Library
  • Subject Heading光CVD法 窒化シリコン リン化インジウム MIS構造 界面準位密度

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