Search results for "組成的過冷" | NDL Search

Search results 6

Group by title

III-V族三元混晶半導体の大型バルク単結晶成長に関する研究

Paper図書

熊川, 征司, 静岡大学1991-1992<Y151-H03650254>

National Diet Library

Subject Heading三元混晶半導体バルク単結晶結晶成長超音波振動組成的過冷却融液融液温度変動

溶接アーク下における異種金属間の接合反応

Paper図書

石田, 恒雄, 東北大学1985-1986<Y151-S60550521>

National Diet Library

Subject Heading異種金属溶接プラズマアーク舌状組織溶融境界部フエライトバンドパルスアークパルス周波数組成的過冷

Preparation of InGaAs starting materials with the gradient InAs concentration

Digital文書・図像類

橋尾, 克司, 龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Hashio, Katsushi, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.51-56

Other Libraries in Japan

Subject HeadingInGaAs 傾斜濃度成分プロフィル一方向凝固組成的過冷却温度勾配成長速度結晶成長核形成成長界面 grad...
Note (General)...を、通常の一方向凝固を用いつつ組成的過冷却を発生させることなく実現する......62mm/hまで減らした状態で組成的過冷却を抑制することに成功した。組成的過冷却にある溶融体からの結晶成長において組成が周期的に変動するこ...

Constitutional supercooling during directional solidification of In(0.3)Ga(0.7)As melt

Digital文書・図像類

加藤, 浩和, 木下, 恭一, 依田, 真一, Kato, Hirokazu T., Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.39-43

Other Libraries in Japan

Subject HeadingIn(0.3)Ga(0.7)As 方向性固化組成的過冷却結晶成長混合結晶濃度分布温度勾配移動速度急冷 ...
Note (General)組成的過冷却は結晶成長における最も重要な......の1つである。混合結晶に関する組成的過冷却については理論的解析が幾つか存在するが、組成的過冷却が発生する実験的条件は未だ特.......7)Asが一方向凝固する際の組成的過冷却の挙動を、固化した試料の濃度......40から45度C/cmのとき、組成的過冷却に対する試料移動速度の限界は0.9mm/hから2mm/hの...
Alternative TitleIn(0.3)Ga(0.7)As融液の一方向凝固の際の組成的過冷却

One and two dimensional analyses of growth conditions of In(x)Ga(1-x)As

Digital文書・図像類

前川, 透, 平岡, 良章, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Hiraoka, Yoshiaki, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.19-26

Other Libraries in Japan

Subject Heading...温度勾配濃度勾配成長速度組成的過冷却残留重力成長方向 semiconductor crys...
Note (General)...せ得ることがわかった。さらに、組成的過冷却の発生について研究し、温度勾配が30K/cmより高い場合に...

Annual report of the semiconductor team in NASDA space utilization research program (1998): Effects of microgravity environments on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals

Digital文書・図像類

宇宙開発事業団, National Space Development Agency宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum

Other Libraries in Japan

Subject Heading...温度勾配濃度勾配成長速度組成的過冷却 g-ジッタ重力変動表面張力坩堝 micrograv...
Note (General)...温度勾配、濃度勾配、成長速度、組成的過冷却、残留重力、g-ジッタ、速度変動、温度変動、濃度変動、分岐...

Reached to the end of result.

RSS