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機能性超微粒子の電気化学プロセシングによる基材への固定化と評価

Paper図書

木枝, 暢夫, 湘南工科大学2000-2002<Y151-H12650829>

National Diet Library

Subject Heading電気化学プロセス微粒子複合機酸化物表面保護膜光触媒

低周波プラズマCVDによるシリコン窒化膜の室温形成プロセスの開発

Paper図書

下妻, 光夫, 北海道大学1986-1988<Y151-S61850049>

National Diet Library

Subject HeadingプラズマCVD 低周波デポジシヨンシリコン窒化膜室温プロセス絶縁薄膜表面保護膜

AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性

Digital文書・図像類

松島, 孝典, 中嶋, 正裕, 野本, 一貴, 佐藤, 政孝, 中村, 徹, MATSUSHIMA, Takanori, NAKAJIMA, Masahiro, Nomoto, Kazuki, SATOH, Masataka, NAKAMURA, Tohru電子情報通信学会2006-11-17電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス106 379p.27-31

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Summary, etc.AlGaN/GaN HEMTの電気特性は表面保護膜の種類や膜厚によって大きく影響......aN/GaN HEMTにおける表面保護膜が1/f雑音に与える影響を調べた。表面保護膜SiN膜の成長条件が1/f雑音......検討した。スパッタ法で形成した表面保護膜が堆積されたデバイスに比べ、PECVD法で形成した表面保護膜が堆積されたデバイスの方が入力換算ドレイン電流ノイズスペクト...
Subject HeadingAlGaN GaN HEMT 1 f雑音表面保護膜 PECVD スパッタ 1/f noise Surface ...

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