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希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化

希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化
Paper図書
藤原康文, 大阪大学 [著][藤原康文]2003-2005<Y151-H15360164>
National Diet Library
  • Subject Heading希土類添加III-V族半導体 / 新規半導体レーザ用材料 / 原子レベル制御成長 / 誘...

GaN系半導体ヘテロ構造における表面界面の原子レベル評価と物性制御

GaN系半導体ヘテロ構造における表面界面の原子レベル評価と物性制御
Paper図書
櫻井利夫, 東北大学 [著][櫻井利夫]2002-2005<Y151-H14102010>
National Diet Library
  • Subject HeadingIII-V族半導体 / 分子線エピタキシー (MBE) / 走査トンネル顕微鏡...

新規半導体レーザ用材料 : 希土類添加3-5族半導体の原子レベル制御成長と高品質化

新規半導体レーザ用材料 : 希土類添加3-5族半導体の原子レベル制御成長と高品質化
Paper図書
藤原康文, 大阪大学, 名古屋大学 [著][藤原康文]2001-2003<Y151-H13555002>
National Diet Library
  • Subject Heading希土類添加III-V族半導体 / 新規半導体レーザ用材料 / 原子レベル制御成長 / 誘...

不規則超格子の研究

不規則超格子の研究
Paper図書
佐々木, 昭夫, 京都大学1992-1993<Y151-H04452175>
National Diet Library
  • Subject Heading超格子 発光 不規則 III-V族半導体 シリコン・ゲルマニウム 極在準位

結晶異方性半導体の実現に関する研究

結晶異方性半導体の実現に関する研究
Paper図書
佐々木, 昭夫, 京都大学1989-1991<Y151-H01420026>
National Diet Library
  • Subject Heading超格子 発光 不規則原子配列 III-V族半導体 局在準位

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用
Digital博士論文障害者向け資料あり
冬木, 琢真2014-03-25
National Diet Library
  • Subject HeadingMBE 分子線エピタキシー III-V族半導体半金属混晶 GaAsBi LD レーザ 発振波長 光通信 界...
  • Note (General)...目的としている。高品質なBi系III-V族半導体半金属混晶GaAs1-xBix......材料として注目したのが、Bi系III-V族半導体半金属混晶である。本混晶は、そ......現できると考えられる。　Bi系III-V族半導体半金属混晶は非常に大きな非混和性を有しており、400℃以下と...

希土類イオン添加III-V族化合物半導体の発光機構とキヤリア注入発光素子

希土類イオン添加III-V族化合物半導体の発光機構とキヤリア注入発光素子
Paper図書
植草, 新一郎, 明治大学1991-1992<Y151-H03650022>
National Diet Library
  • Subject Heading希土類 III-V族半導体 ルミネツセンス エネルギー伝達 ELデバイス 発光ダイオー...

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用
Digital博士論文
冬木, 琢真2014-03-25
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  • Subject HeadingMBE 分子線エピタキシー III-V族半導体半金属混晶 GaAsBi LD レーザ 発振波長 光通信 界...
  • Note (General)...目的としている。高品質なBi系III-V族半導体半金属混晶GaAs1-xBix......材料として注目したのが、Bi系III-V族半導体半金属混晶である。本混晶は、そ......現できると考えられる。　Bi系III-V族半導体半金属混晶は非常に大きな非混和性を有しており、400℃以下と...

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