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積層InAs量子ドット間の波動関数カップリングの制御と長波長帯レーザへの応用

積層InAs量子ドット間の波動関数カップリングの制御と長波長帯レーザへの応用
Paper図書
斎藤敏夫, 東京大学 [著][斎藤敏夫]2005-2006<Y151-H17560005>
National Diet Library

高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御

高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御
Paper図書
山口浩一, 電気通信大学 [著][山口浩一]2002-2004<Y151-H14550294>
National Diet Library

半導体柱状量子構造の新規作製法

半導体柱状量子構造の新規作製法
Paper図書
真下正夫, 弘前大学 [著][真下正夫]2003-2004<Y151-H15560001>
National Diet Library
  • Subject Heading分子線エピタキシー / 半導体量子構造 / 化合物半導体 / 光・電子半導体デバイス / エピタキシャル成長機構 / 超格子 / InAs/GaAsヘテロ構造

新規作製法による半導体柱状量子構造

新規作製法による半導体柱状量子構造
Paper図書
真下, 正夫, 弘前大学2001-2002<Y151-H13650330>
National Diet Library
  • Subject Heading分子線エピタキシ- 量子構造 化合物半導体 光・電子半導体デバイス エピタキシヤル成長機構 InAs/GaAsヘテロ構造

自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究

自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究
Paper図書
佐々木, 昭夫, 大阪電気通信大学1995-1997<Y151-H07505011>
National Diet Library
  • Subject HeadingInAs/GaAs量子構造 InGaN/GaN成長 プラズマ励起GaN成長 プ...

不規則構造半導体の新光量子物性の研究

不規則構造半導体の新光量子物性の研究
Paper図書
佐々木, 昭夫, 大阪電気通信大学1996-1997<Y151-H08044139>
National Diet Library
  • Subject Heading量子ドツト InAs/GaAs量子ドツト Stranski-Krastanov 光量子物性...

InAs-GaAs interdiffusion measurements

InAs-GaAs interdiffusion measurements
Digital文書・図像類
木下, 恭一, 加藤, 浩和, 松本, 聡, 依田, 真一, Yu, J., 夏井坂, 誠, 正木, 匡彦, 越川, 尚清, 中村, 裕広, 中村, 富久, Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Matsumoto, Satoshi, Yoda, Shinichi, Natsuisaka, Makoto, Masaki, Tadahiko, Koshikawa, Naokiyo, Nakamura, Yasuhiro, Nakamura, Tomihisa宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.43-49
Other Libraries in Japan
  • Subject HeadingInAs-GaAs系 InAs-(113)InAs系 相互拡散係数 自己拡散係...
  • Note (General)InAs-GaAs系の相互拡散係数と、InAs-......icients of the InAs-GaAs system and self diffusion coe...
  • Alternative TitleInAs-GaAs相互拡散の測定

Simple thermodynamic equations to calculate driving force for In(x)Ga(1-x)As crystals which grow from their own melt

Simple thermodynamic equations to calculate driving force for In(x)Ga(1-x)As crystals which grow from their own melt
Digital文書・図像類
中村, 裕彦, 徂徠, 正夫, 石川, 正道, 加藤, 浩和, 依田, 真一, 木下, 恭一, Nakamura, Hirohiko, Sorai, Masao, Ishikawa, Masamichi, Kato, Hirokazu, Yoda, Shinichi, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.45-50
Other Libraries in Japan
  • Subject Heading...格子モデル 過剰エンタルピー InAs-GaAs系 微分格子パラメータ 結晶化プロセス 熱力学方程式 状態図...
  • Note (General)...格子モデルの正当性を保ちながらInAS-GaAs擬似2成分系に還元できることが...... be reduced to InAs-GaAs pseudo-binary system, keeping...

Numerical analysis of crystal growth of an InAs-GaAs binary semiconductor under microgravity conditions

Numerical analysis of crystal growth of an InAs-GaAs binary semiconductor under microgravity conditions
Digital文書・図像類
平岡, 良章, 池上, 圭介, 前川, 透, 松本, 聡, Hiraoka, Yoshiaki, Ikegami, Keisuke, Maekawa, Toru, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.29-41
Other Libraries in Japan
  • Subject HeadingInAs-GaAs バイナリ半導体 微小重力 結晶成長法 2元結晶 溶液結晶界...
  • Note (General)...ト法を採用した。この計算方法をInAs-GaAs バイナリ半導体の結晶成長に応......analysis of an InAs-GaAs binary semiconductor and the ...
  • Alternative Title微小重力条件でのInAs-GaAsバイナリ半導体の結晶成長の数値解析

Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals

Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
Digital文書・図像類
宇宙開発事業団, Natl. Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.1-86
Other Libraries in Japan
  • Subject Heading...多成分ゾーン溶融法 混合結晶 InAs-GaAs バイナリ半導体 gジッタ single crystal m...
  • Note (General)...での2成分系半導体の結晶成長、InAs-GaAs相互拡散の測定、レーザフラッシ......l growth of an InAs-GaAs binary semicon......ity condition, InAs-GaAs interdiffusion measurements, ...

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