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自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究

自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究
Paper図書
佐々木, 昭夫, 大阪電気通信大学1995-1997<Y151-H07505011>
National Diet Library
  • Subject HeadingInAs/GaAs量子構造 InGaN/GaN成長 プラズマ励起GaN成長 プラズマ励起InGaN成長 InGaN相分離

変調反射・ラマン散乱分光法によるInGaNの混晶比と歪み評価法の確立

変調反射・ラマン散乱分光法によるInGaNの混晶比と歪み評価法の確立
Paper図書
播磨, 弘, 大阪大学1997-1998<Y151-H09650014>
National Diet Library
  • Subject Headingラマン散乱 変調反射 GaN InGaN AlGaN 混晶

窒化物半導体量子構造の結晶成長と青紫色面発光レ-ザへの応用

窒化物半導体量子構造の結晶成長と青紫色面発光レ-ザへの応用
Paper図書
西岡, 政雄, 東京大学2000-2002<Y151-H12650037>
National Diet Library
  • Subject Heading青紫色面発光レ-ザ InGaN 窒化物半導体 縦型微小共振器 量子構造

次世代光記録装置用青紫色ガリウムナイトライド微小共振器型面発光レーザの開発研究

次世代光記録装置用青紫色ガリウムナイトライド微小共振器型面発光レーザの開発研究
Paper図書
荒川泰彦, 東京大学 [著][荒川泰彦]2001-2003<Y151-H13355015>
National Diet Library
  • Subject HeadingGaN / 面発光レーザ / InGaN / 半導体レーザ / 量子井戸 / 化合物半導体

積層型InGaN量子ドツトレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

積層型InGaN量子ドツトレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析
Paper図書
斎藤, 敏夫, 東京大学2000-2001<Y151-H12650004>
National Diet Library
  • Subject HeadingGaN InGaN 量子ドツト 電子構造 強結合法 ピエゾ効果 シユタルク効果...

紫外線高輝度発光ダイオードを用いたフルカラー発光素子の研究

紫外線高輝度発光ダイオードを用いたフルカラー発光素子の研究
Paper図書
酒井, 士郎, 徳島大学1995-1996<Y151-H07555102>
National Diet Library
  • Subject HeadingGaN InGaN バルク MOCVD LED 半導体レーザ ホモエピタキシー...

半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構

半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構
Paper図書
藤原賢三, 九州工業大学 [著][藤原賢三]2004-2006<Y151-H16360157>
National Diet Library
  • Subject Heading量子井戸構造 / 窒化ガリウム系半導体 / 発光ダイオード / InGaN / エレクトロルミネッセンス / キャリアー捕獲 / フォ...

GaN系混晶の物性評価と青色半導体レーザーの研究

GaN系混晶の物性評価と青色半導体レーザーの研究
Paper図書
酒井, 士郎, 徳島大学1995-1996<Y151-H07455009>
National Diet Library
  • Subject HeadingGaN InGaN バルクGaN ホモエピタキシヤル成長 昇華法 GaPN 半...

有機金属気相成長用の新窒素ソースとアルキル金属の反応機構の解明と窒化物混晶の成長に関する研究

有機金属気相成長用の新窒素ソースとアルキル金属の反応機構の解明と窒化物混晶の成長に関する研究
Paper図書
石井, 恂, 金沢工業大学2000-2001<Y151-H12650021>
National Diet Library
  • Subject Heading有機金属気相成長法 生成分子種 四重極質量分析 モノメチルヒドラジン InGaN トリメチルインジウム トリメチルガリウム 熱分解

青色領域に感度を持つInGaN量子井戸フォトリフラクティブ素子の研究

青色領域に感度を持つInGaN量子井戸フォトリフラクティブ素子の研究
Paper図書
黒田和男, 東京大学 [著][黒田和男]2004-2006<Y151-H16360026>
National Diet Library
  • Subject HeadingInGaN/GaN量子井戸 / GaN薄膜 / フォトリフラクティブ素...

不規則積層量子ドツトの新光量子物性の探索

不規則積層量子ドツトの新光量子物性の探索
Paper図書
佐々木, 昭夫, 大阪電気通信大学1998-2000<Y151-H10450128>
National Diet Library
  • Subject Heading量子効果半導体 光量子物性 不規則量子細線 自然超格子 Ga0.52In0.48P InGaN単一量子井戸

Growth of InGaN-Based Emitters on ScAlMgO4 Substrates for Full Visible Spectral Range

Growth of InGaN-Based Emitters on ScAlMgO4 Substrates for Full Visible Spectral Range
Digital博士論文障害者向け資料あり
Ozaki, Takuya2017-03-23
Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan
  • Subject HeadingGrowth InGaN ScAlMgO4 Visible
  • Alternative Title可視全域をカバーする発光素子開発のためのScAlMgO4基板上へのInGaN系発光層の成長に関する研究
  • Alternative Title可視全域をカバーする発光素子開発のためのScAlMgO4基板上へのInGaN系発光層の成長に関する研究

Thick (~1 mm) p-type In x Ga 1–x N(x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 8C)

Thick (~1 mm) p-type In x Ga 1–x N(x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 8C)
Digital文書・図像類
Yamamoto, A., Hasan, T. Md., Kodama, K., Shigekawa, N., Kuzuhara, M.WILEY-VCH2015-02-17Physica Status Solidi Bp.1-4
Other Libraries in Japan
  • Subject HeadingInGaN annealing doping MOVPE
  • Note (General)...grown Mg-doped InGaN. By using MOVP......or 20 min, the InGaN flm is phase-separated. On th...

Thick (~1um) p-type InxGa1?x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C)

Thick (~1um) p-type InxGa1?x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C)
Digital文書・図像類
Yamamoto, A., Hasan, Md. T., Kodama, K., Shigekawa, N., Kuzuhara, M.Wiley-VCH Verlag2015-02Physica Status Solidi (b)2015p.1-4
Other Libraries in Japan
  • Subject Headingannealing doping InGaN magnesium MOVPE phase separat...
  • Note (General)...grown Mg-doped InGaN. By using MOVP......or 20?min, the InGaN film is phase-separated. On t...

Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells

Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells
Digital文書・図像類
Hossain, Md. Arafat, Islam, Md. Rafiqul, Hossain, M. K., Hashimoto, A., Yamamoto, A.2013-12Materials for Renewable and Sustainable Energy2 20p.1-14
Other Libraries in Japan
  • Subject HeadingInGaN Critical thickness Misfit dis...
  • Note (General)...ells using the InGaN materials. In ......ty in wurtzite InGaN heteroepitaxy ......one for 1.5 μm InGaN using 3 stepgraded interlayer...

半極性GaNバルク基板上へのInGaN量子構造の成長と偏光物性

半極性GaNバルク基板上へのInGaN量子構造の成長と偏光物性
Digital博士論文
上田, 雅也京都大学 (Kyoto University)2009-03-23
Available onlineOther Libraries in Japan
  • Subject Heading半極性 量子構造 偏光 GaN InGaN

プラセオジムドープ固体レーザーによる可視・深紫外域高輝度コヒーレント光源の一新

プラセオジムドープ固体レーザーによる可視・深紫外域高輝度コヒーレント光源の一新
Digital文書・図像類
神成, 文彦2016科学研究費補助金研究成果報告書
Other Libraries in Japan
  • Subject HeadingPr:YLFレーザー,InGaN半導体レーザー,モード同期,受動Qスイッチ,深紫外レーザー
  • Note (General)...pumped by blue InGaN diode-lasers (......ing four 3.5-W InGaN LDs, CW lasers at red (4.8W) ...

複素平面波展開法を用いたフォトニック結晶レーザの解析に関する研究

複素平面波展開法を用いたフォトニック結晶レーザの解析に関する研究
Digital博士論文
瀧川, 信一京都大学 (Kyoto University)2012-03-26
Available onlineOther Libraries in Japan
  • Subject Headingフォトニック結晶 レーザー 利得 損失 テラヘルツ 無極性 InGaN

半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構

半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構
Digital文書・図像類
藤原, 賢三九州工業大学2007-06
Other Libraries in Japan
  • Summary, etc....年度から３年間にわたり実施したInGaN量子井戸構造を有する発光ダイオードの発光効率に関する研究をま...
  • Subject Heading...roluminescence InGaN

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