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TICSを用いた水素フリーSiO2膜形成法

Paper図書

杉浦, 修, 東京工業大学1994-1995<Y151-H06555091>

National Diet Library

Subject HeadingプラズマCVD SiO2 テトライソシアネートシラン TICS PECVD

AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性

Digital文書・図像類

松島, 孝典, 中嶋, 正裕, 野本, 一貴, 佐藤, 政孝, 中村, 徹, MATSUSHIMA, Takanori, NAKAJIMA, Masahiro, Nomoto, Kazuki, SATOH, Masataka, NAKAMURA, Tohru電子情報通信学会2006-11-17電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス106 379p.27-31

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Summary, etc....膜が堆積されたデバイスに比べ、PECVD法で形成した表面保護膜が堆積さ...... formed by the PECVD method piles up was able to b...
Subject HeadingAlGaN GaN HEMT 1 f雑音表面保護膜 PECVD スパッタ 1/f noise Surface Passiv...

Herstellung und Charakterisierung von Plasmapolymer-Schichten für die Stofftrennung : kart

Paper図書

Jürgen WeichartVDI Verlagc1992

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Subject HeadingPlasmapolymerisation -- PECVD-Verfahren -- Technische Membr...
Subject Heading (ID)Plasmapolymerisation -- PECVD-Verfahren -- Technische Membr...

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